Przemysł produkcji węglika krzemu

W porównaniu zna bazie krzemuMateriały półprzewodnikowe trzeciej generacji, reprezentowane przez węglik krzemu (SiC), mają wiele zalet, takich jak wysokie pole elektryczne przebicia, wysoka prędkość dryfu nasyconych elektronów i wysoka przewodność cieplna.

Urządzenia zasilające z węglika krzemu są głównie stosowane w dziedzinach o dużej mocy, takich jak nowe pojazdy energetyczne, magazynowanie energii fotowoltaicznej, transport kolejowy i inne dziedziny, zwłaszcza w dziedzinie pojazdów. W ciągu najbliższych kilku lat aplikacje, takie jak pokładowe falowniki główne i moduły ładowania, będą nadal rosły z dużą prędkością.

Obecnie przedsiębiorstwa krajowe przyspieszyły wejście do łańcucha przemysłowego węglika krzemu, a nakłady inwestycyjne wzrosły, co spowodowało szybki wzrost wszystkich ogniw łańcucha przemysłowego.

Według raportu Yole'a, wartość rynku urządzeń zasilających z węglika krzemu przekroczy 6 miliardów dolarów w 2027 r., a skumulowana roczna stopa wzrostu wyniesie ponad 30%.

Moc na bazie węglika krzemuŁańcuch przemysłu urządzeń obejmuje głównie wstępne przygotowanie podłoża z węglika krzemu, wzrost warstwy epitaksjalnej, pośrednią produkcję urządzeń i późniejsze rynki zastosowań.

Proces przygotowania podłoża polega głównie na syntezie proszku węglowego o wysokiej czystości i proszku krzemowego o wysokiej czystości w proszek węglika krzemu. W specjalnym polu temperaturowym metoda fizycznego transferu pary (metoda PVT) jest głównie stosowana do hodowli wlewków kryształów węglika krzemu o różnych rozmiarach, a podłoże węglika krzemu jest wytwarzane po wielu procesach.

Łącznik epitaksjalny znajduje się głównie na podłożu z węglika krzemu, a warstwa epitaksjalna jest formowana na powierzchni podłoża metodą osadzania chemicznego z fazy gazowej (CVD).

Wśród nich, epitaksjalna warstwa węglika krzemu jest przygotowywana przez wzrost epitaksjalnej warstwy węglika krzemu na przewodzącym podłożu z węglika krzemu, które może być dalej przetwarzane w urządzenia energetyczne i stosowane w nowych pojazdach energetycznych, fotowoltaice, transporcie kolejowym, inteligentnych sieciach, lotnictwie i innych dziedzinach. Epitaksjalna warstwa azotku galu na bazie krzemu (GaN-on-SiC) jest przygotowywana przez wzrost epitaksjalnej warstwy azotku galu na półizolowanym podłożu z węglika krzemu, które może być dalej przetwarzane w urządzenia mikrofalowe RF i stosowane w polach komunikacji 5G.

W strukturze kosztów produkcji urządzeń z węglika krzemu największy jest koszt podłoża, stanowiący 47%; drugim co do wielkości jest koszt rozszerzony, stanowiący 23%. Te dwa procesy są ważnymi składnikami urządzeń SiC.

Popularne Tagi: przemysł produkcji węglika krzemu, Chiny przemysł produkcji węglika krzemu producenci, dostawcy, oporne na systemy odzyskiwania ciepła odpadów, oporne na piece wypalane olej, oporne na kotły, oporne na przemysł metalowy niezatyszy, oporne na piece samochody, oporne na reaktory